Авиакосмическое приборостроение Аннотация к статье << Назад О ПРИМЕНЕНИИ БЕТАВОЛЬТАИКИ НА КРЕМНИЕВЫХ PIN-СТРУКТУРАХ В УСЛОВИЯХ КОСМИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ Ю.С. Нагорнов, В.Н. Мурашов Рассмотрены возможности бетавольтаики в качестве источников электрического питания для полупроводниковых схем в условиях космического излучения. Проведено моделирование бетавольтаического эффекта от источника никель-63 для кремниевых pin-структур в условиях радиационного излучения. Рассчитаны оптимальные параметры микроканальных структур бетавольтаики, которые представляют собой щелевые структуры с вертикальными стенками, на которых формируется p-n-переход, а в щелях расположен радиоактивный -изотоп никеля-63. При этом оптимальными размерами щелей и расстояния между ними являются величины 3 и 10 мкм соответственно. Моделированием бетавольтаического эффекта на микроканальных кремниевых структурах была показана воз-можность генерации токов до значений 1600 нА/см2. В работе исследована радиационная стойкость бетавольтаических структур. Дозовые зависимости эффективности работы кремниевых бетавольтаических структур от - и -облучений показали, что выше доз 2·1014 см–2 и 1022 см–2 со-ответственно происходит нарушение работоспособности структур, что необходимо учитывать при разработке микроэлектронных схем для их применения в условиях космического излучения. Ключевые слова: бетавольтаика, радиационное облучение кремния, -облучение, -облучение, коэффициент сбора носителей заряда. Контактная информация: E-mail: Nagornov.Yuri@gmail.com Стр. 48-56.